FDN5630

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
FDN5630	4 720	5.77
FDN5630 (FAIRCHILD.)	1 568	3-4 недели Цена по запросу
FDN5630 (YOUTAI)	22 166	2.71

Версия для печати

Технические характеристики FDN5630

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	400pF @ 15V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mol

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN5630 (MOSFET)

60V N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN5630 datasheet
91.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC856BWSOT323		NXP
BC856BWSOT323		NEXPERIA
BC856BWSOT323		0.00
BZX84C3V3LT1G		ON SEMICONDUCTOR
BZX84C3V3LT1G		ONS	18 688	4.28
BZX84C3V3LT1G		ON SEMICONDUCTOR	132
BZX84C3V3LT1G
BZX84C3V3LT1G		ONSEMICONDUCTOR
BZX84C4V7LT1G		ONS	16 714	2.18
BZX84C4V7LT1G		ON SEMICONDUCTOR
BZX84C4V7LT1G		ON SEMICONDUCTOR	3 096
BZX84C4V7LT1G		ON SEMICONDUCTO
BZX84C4V7LT1G			800	3.70
BZX84C4V7LT1G		ONSEMICONDUCTOR
CDRH6D28NP-101NC		SUMIDA	30 497	22.65
CDRH6D28NP-101NC				61.20
CDRH6D28NP-101NC		SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
CM453232-101KL	ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812			72.00
CM453232-101KL	ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812	BOURNS	13 350	18.15
CM453232-101KL	ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812	ВОURNS