FDN5630
60v n-channel powertrench mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Power - Max | 460mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mol |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDN5630 (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856BWSOT323 | NXP |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | 0.00 |
|
|
|||||
 |
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 132 |
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G |
|
|
|||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| BZX84C4V7LT1G | ONS |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 3 096 |
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | 3 120 | 3.70 | ||||||
| BZX84C4V7LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA | 18 216 | 21.18 | |||||
| CDRH6D28NP-101NC |
|
61.20 | ||||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC |
|
|
|||||
 |
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 |
|
72.00 | |||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | BOURNS | 14 | 17.86 | ||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | ВОURNS |
|
|
