BZX84C4V7LT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 2V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 225mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 80 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009 |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 132 |
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G |
|
|
|||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 |
|
|
||||||
 |
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 |
|
72.00 | |||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | BOURNS | 18 | 18.31 | ||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | ВОURNS |
|
|
||
 |
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 | BOURNS | 1 203 | 25.44 | ||
|
|
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 |
|
|
|||
 |
|
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
