Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	20 856	64.44
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...		2	151.20
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ANALOG
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	1
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	США
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	YOUTAI	2 801	25.73
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	324
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	194
		AD8542ARZ		2 Операционный усилитель CMOS, вх./вых. размах до шин питания, 0,98 МГц, 0,75 В/мкс, ...	25876
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	6 360	1.79
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIODES
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC	1	4.70
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 052	1.43
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DC COMPONENTS	37 411	2.34
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WTE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MCC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD	1 304
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	149
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OTHER	44
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 404
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	UTC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY	337	1.67
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS SEMIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	КИТАЙ
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ZETEX
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	VISHAY
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...		16 491	1.52  >100 шт.   0.76
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS-FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YJ	129 858	7.23
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY ME
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	LRC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	100
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	HOTTECH	54 359	1.03
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KLS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SUNTAN
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PANJIT	24 773
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GOOD-ARK SEMICONDUCTOR	27
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SEMTECH
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE	14 400	1.08
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE (YJ)
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WUXI XUYANG
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEX-NXP	62	3.10
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TWGMC	36 684	1.32
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OLITECH	2	2.02
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JSCJ	54 424	1.80
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YOUTAI	28 620	1.54
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JINGDAO	2 016	1.26  >500 шт.   0.42
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEXPERIA	1 832	1.43
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ASEMI
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGZHOU YANGJIE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOS	36	1.41  >500 шт.   0.47
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KEEN SIDE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MERRYELC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1996
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2300
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2975
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2520
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	27000
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	RUME	72 000	1.28  >100 шт.   0.64
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TRR	141 200	1.28  >100 шт.   0.64
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INTERNATIONAL RECTIFIER	2 431
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON	16 910	23.76
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A		6 296	8.52
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	INFINEON
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	HOTTECH
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TR
		IRLML6401TRPBF		Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A	TRR	88	4.13
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ONS
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ONSEMICONDUCTOR
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	ON SEMICONDUCTO
		NCP1402SN50T1G		Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).	4-7 НЕДЕЛЬ	325
		STM32F100C8T6B			ST MICROELECTRONICS	1 037	234.57
		STM32F100C8T6B
		STM32F100C8T6B			STMicroelectronics
		STM32F100C8T6B			МАЛАЙЗИЯ
		STM32F100C8T6B			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STM32F100C8T6B			ST MICROELECTRO
		STM32F100C8T6B			STMICROELECTR
		STM32F100C8T6B			4-7 НЕДЕЛЬ	516

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"