|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
|
24 000
|
3.39
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
13
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
KLS
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
HOTTECH
|
127 138
|
12.12
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
SMCMICRO
|
2 032
|
12.73
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
LGE
|
8 808
|
12.52
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
16
|
15.04
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
624
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PHILIPS
|
636
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
27 930
|
6.61
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
236 043
|
1.49
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
17 541
|
1.33
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
43 344
|
1.39
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
18 240
|
1.20
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
355 692
|
1.90
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
118 600
|
2.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 391
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 145 208
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
353 476
|
1.19
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 466
|
1.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 608 444
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
253 029
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
498 276
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
20 544
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
MAX481ESA+ |
|
Трансивер RS-485/422 с низким энергопотреблением 5V
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX481ESA+ |
|
Трансивер RS-485/422 с низким энергопотреблением 5V
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX481ESA+ |
|
Трансивер RS-485/422 с низким энергопотреблением 5V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
|
|
320.00
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
Power Integrations
|
69
|
252.00
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
440
|
|
|