|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 789
|
3.06
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
4.91
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
40 080
|
1.82
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
27 281
|
2.76
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
326 037
|
1.38
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
2.86
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
1
|
1.23
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.32
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
611
|
1.95
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
472 635
|
1.19
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
804
|
1.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
147 844
|
1.36
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSMICRO
|
75 689
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
16
|
15.04
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
624
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PHILIPS
|
636
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
27 930
|
6.68
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
228 795
|
1.48
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
17 261
|
1.32
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
35 116
|
1.31
|
|
|
|
BAV23S |
|
2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
17 520
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
354 400
|
1.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
117 992
|
2.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
61 991
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 375 179
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
353 443
|
1.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 466
|
1.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 615 031
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
245 829
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
453 949
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
20 544
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
5.12
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
8 000
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
1 572
|
1.60
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
|
40
|
1.23
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
599
|
1.45
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
YIXING
|
14 000
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
|
|
320.00
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
Power Integrations
|
69
|
252.00
|
|
|
|
TOP224GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 30W Umax 700V Imax 1,5A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
440
|
|
|