Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Power - Max | 1.56W |
Frequency - Transition | 10MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | DPAK-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
10 850
|
1.40
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.84
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
33 019
|
1.45
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
15 120
|
1.13
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
|
|
10.56
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
SGS THOMSON
|
210
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 099
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BF821 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF821 |
|
|
|
|
8.52
|
|
|
|
BF821 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF821 |
|
|
NXP
|
10 435
|
|
|
|
|
BF821 |
|
|
PHILIPS
|
12 464
|
|
|
|
|
BF821 |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
|
|
42.56
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
SILICONIX
|
28
|
|
|
|
|
NE-2 4X10 |
|
|
|
|
2.56
|
|
|
|
NE-2 4X10 |
|
|
|
|
2.56
|
|