|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 19A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V |
| Power - Max | 460W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFP31N50L (Дискретные сигналы) Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR1150S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IR1150S |
|
220.32 | ||||||
| IR1150S | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| IR1150S | 4-7 НЕДЕЛЬ | 155 |
|
|||||
|
|
|
IR21531S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
|
|
|
IR21531S | 176 | 432.17 | ||||
|
|
|
IR21531S | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||
|
|
|
IR21531S | INFINEON |
|
|
|||
|
|
|
IR21531S | 4-7 НЕДЕЛЬ | 257 |
|
|||
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом |
|
260.00 | ||
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INFINEON |
|
|
|
| NE555DT SMD | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
|
|
|
STW20NK50Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R | ST MICROELECTRONICS | 8 | 347.46 | |
|
|
|
STW20NK50Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R |
|
319.48 | ||
|
|
|
STW20NK50Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STW20NK50Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STW20NK50Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STW20NK50Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R | ST MICROELECTRO |
|
|