LM358M
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V |
| Ток выходной / канал | 30mA |
| Ток выходной | 800µA |
| Напряжение входного смещения | 2900µV |
| Ток - входного смещения | 45nA |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
LM158 (Операционные усилители) Low Power Dual Operational Amplifiers Также в этом файле: LM358M, LM358MX
Производитель:
|
Аналоги:
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
212447-1 |
|
TE Connectivity |
|
|
|||
|
|
212447-1 |
|
|
|
||||
|
|
212447-1 |
|
TE |
|
|
|||
| 220МКФ 25 (8Х10)105°C |
|
|
||||||
 |
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом |
|
260.00 | ||
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INFINEON |
|
|
|
| R0805-100 КОМ-1% | 1 013 | 1.85 | ||||||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C |
|
399.24 | ||||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS |
|
|
|||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 246 |
|
