|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V |
| Ток выходной / канал | 30mA |
| Ток выходной | 800µA |
| Напряжение входного смещения | 2900µV |
| Ток - входного смещения | 45nA |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
LM158 (Операционные усилители) Low Power Dual Operational Amplifiers Также в этом файле: LM358M, LM358MX
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
0805-5.60K 1% |
|
ЧИП — резистор 0805, 5,6кОм, 1% | 52 | 1.24 | |||
|
|
|
IRFI9530G |
|
Hexfet® power mosfet | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFI9530G |
|
Hexfet® power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFI9530G |
|
Hexfet® power mosfet |
|
213.20 | ||
|
|
|
IRFI9530G |
|
Hexfet® power mosfet | Vishay/Siliconix |
|
|
|
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C |
|
399.24 | ||||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS |
|
|
|||
| TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 246 |
|
|||
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СИЛИКОНОВАЯ СМАЗКА СИ-350, 2 М |
|
208.00 | ||||||
| ФМ-1 КРАСНЫЙ |
|
16.80 | ||||||
| ФМ-1 КРАСНЫЙ |
|
16.80 |