![]() |
|
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V |
Ток выходной / канал | 30mA |
Ток выходной | 800µA |
Напряжение входного смещения | 2900µV |
Ток - входного смещения | 45nA |
Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | General Purpose |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
LM158 (Операционные усилители) Low Power Dual Operational Amplifiers Также в этом файле: LM358M, LM358MX
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
0805-5.60K 1% |
![]() |
ЧИП — резистор 0805, 5,6кОм, 1% | 52 | 1.24 | |||
![]() |
![]() |
IRFI9530G |
![]() |
Hexfet® power mosfet | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFI9530G |
![]() |
Hexfet® power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFI9530G |
![]() |
Hexfet® power mosfet |
![]() |
213.20 | ||
![]() |
![]() |
IRFI9530G |
![]() |
Hexfet® power mosfet | Vishay/Siliconix |
![]() |
![]() |
|
TPS62007DGS |
![]() |
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||
TPS62007DGS |
![]() |
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C |
![]() |
399.24 | ||||
TPS62007DGS |
![]() |
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||
TPS62007DGS |
![]() |
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | TEXAS |
![]() |
![]() |
|||
TPS62007DGS |
![]() |
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 246 |
![]() |
|||
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СИЛИКОНОВАЯ СМАЗКА СИ-350, 2 М |
![]() |
208.00 | ||||||
ФМ-1 КРАСНЫЙ |
![]() |
16.80 | ||||||
ФМ-1 КРАСНЫЙ |
![]() |
16.80 |
|
Корзина
|