IR1150S
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение питания | 15 V ~ 20 V |
| Current - Startup | 175µA |
| Частота переключения | 200kHz |
| Mode | Continuous Conduction (CCM) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IR21531S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
|
|
|
IR21531S | 176 | 432.17 | ||||
|
|
|
IR21531S | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||
|
|
|
IR21531S | INFINEON |
|
|
|||
|
|
|
IR21531S | 4-7 НЕДЕЛЬ | 257 |
|
|||
 |
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R |
|
222.00 | ||
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R | INFINEON TECHNOLOGIES |
|
|
|
| IRS20957S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRS20957S |
|
|
||||||
| IRS20957S | INFINEON |
|
|
|||||
| IRS20957S | 4-7 НЕДЕЛЬ | 235 |
|
|||||
 |
|
SG6859TZ |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
SG6859TZ |
|
|
|
|||
|
|
|
SG6859TZ |
|
|
|
|||
|
|
|
SG6859TZ |
|
SGC |
|
|
||
|
|
|
SG6859TZ |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
SG6859TZ |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 375 |
|
||
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СИЛИКОНОВАЯ СМАЗКА СИ-350, 2 М |
|
208.00 |
