Версия для печати
Технические характеристики LM358M

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	800µA
Напряжение входного смещения	2900µV
Ток - входного смещения	45nA
Скорость нарастания выходного напряжения	0.3 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

LM158 (Операционные усилители) Low Power Dual Operational Amplifiers Также в этом файле: LM358M, LM358MX Производитель: National Semiconductor //www.national.com LM358M datasheet 1004.69Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	32.01
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	842	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	16 088	6.13
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD7799BRU		АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65	ANALOG DEVICES
		AD7799BRU		АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65			691.20
		AD7799BRU		АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65	Analog Devices Inc
		AD7799BRU		АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65	4-7 НЕДЕЛЬ	454
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIR
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	MCC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DC COMPONENTS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz		21 604	1.58  >100 шт.   0.79
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	FAIRCHILD
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	NXP	1 194
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	PHILIPS	1 354
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	DIOTEC	16 480	3.30
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KEC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	LRC
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	HOTTECH	44 080	1.38  >100 шт.   0.69
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KLS
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SEMTECH
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	YJ	65 367	1.03
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SUNTAN	10 000	1.10
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	SHIKUES
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	KEEN SIDE	2 360	1.46  >100 шт.   0.73
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	50000
		BC807-16		Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz	ASEMI	1 872	1.64  >100 шт.   0.82
		IRLU024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLU024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...			51.64
		IRLU024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...	ТАИЛАНД
		IRLU024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...	INFINEON
		IRLU024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...	EVVO	1 066	16.80
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet			557.60
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C			399.24
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS
		TPS62007DGS		Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	246

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"