|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
28.35
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
851
|
24.57
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
10 370
|
3.33
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
777
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD7799BRU |
|
АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD7799BRU |
|
АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65
|
|
|
691.20
|
|
|
|
AD7799BRU |
|
АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD7799BRU |
|
АЦП сигма-дельта, 24 бит, 3диф.каналов, 4..500 SPS, встр усил Ку=1..128, шум 65
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
454
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
|
22 004
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
NXP
|
1 194
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
PHILIPS
|
1 354
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
DIOTEC
|
21 885
|
3.41
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
LRC
|
784
|
5.17
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
HOTTECH
|
40 000
|
1.13
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
YJ
|
88 131
|
1.03
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
SUNTAN
|
16 256
|
1.12
|
|
|
|
BC807-16 |
|
Транзистор PNP 45V, 0,5A, 0,31W, B:100-250, 100MHz
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
|
|
51.64
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
EVVO
|
1 408
|
13.02
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
|
|
557.60
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP8NK100Z |
|
N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
|
|
399.24
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TPS62007DGS |
|
Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
246
|
|
|