IR1150S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IR1150S		220.32
IR1150S (4-7 НЕДЕЛЬ)	155	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IR1150S

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	15 V ~ 20 V
Current - Startup	175µA
Частота переключения	200kHz
Mode	Continuous Conduction (CCM)
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
744821120WE-CMB-XS-0,5A-20MH		WUERTH
744821120WE-CMB-XS-0,5A-20MH		WURTH ELECTRONICS
IR21531S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR21531S			176	432.17
IR21531S		МАЛАЙЗИЯ
IR21531S		INFINEON
IR21531S		4-7 НЕДЕЛЬ	257
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом			260.00
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INFINEON
L6562ADTR		ST MICROELECTRONICS
L6562ADTR			2 520	26.15
L6562ADTR		STMicroelectronics
L6562ADTR		ST MICROELECTRONICS SEMI	438
L6562ADTR		STMICROELECTR
L6562ADTR		4-7 НЕДЕЛЬ	320
SPW35N60C3		INFINEON
SPW35N60C3				960.00
SPW35N60C3		Infineon Technologies
SPW35N60C3		КИТАЙ