|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8671ARZ |
|
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
14 024
|
5.52
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
47 810
|
2.07
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
541
|
1.72
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
18 091
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
656 389
|
1.19
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
659 695
|
1.05
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.11
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
2 000
|
3.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
25 896
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
138
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
115 728
|
1.14
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
51 509
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 520
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.68
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
108 758
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
10 996
|
3.34
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
91 984
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
485
|
2.75
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
17 941
|
2.38
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
94 436
|
1.39
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.49
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
118 631
|
1.54
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
182 184
|
1.38
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
67 200
|
1.18
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
|
56
|
173.88
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
227
|
|
|
|
|
MAX1947ETA25+T |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX1947ETA25+T |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX1947ETA25+T |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|