AD8671ARZ
Операционный усилитель бипл., 10 МГц, 4 В/мкс, Uсм = 0,02 мВ, 0,3 мкВ/°С, 2,8 нВ/VГц, Iвх = 3 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 3 мА, Uп = 8..36 В, -40..+125°C, SOIC8.
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 1 |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 4 V/µs |
| Полоса пропускания | 10MHz |
| Ток - входного смещения | 3nA |
| Напряжение входного смещения | 20µV |
| Ток выходной | 3mA |
| Ток выходной / канал | 30mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDGR-5.0-02P-14-00A[H] | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| TJ5-6P6C |
|
|
||||||
| TJ5-6P6C | KLS |
|
|
|||||
| TJ5-6P6C | КИТАЙ |
|
|
|||||
| TJ5-6P6C | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| TJ5-6P6C | FULL RISE |
|
|
|||||
| КР159НТ1Е | 166 | 37.48 | ||||||
| КР159НТ1Е | ТОНДИ |
|
|
|||||
| КР159НТ1Е | 635 |
|
|
|||||
| КР159НТ1Е | 71 |
|
|
|||||
| КР159НТ1Е | 828 |
|
|
|||||
 |
 |
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В |
|
|
||
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | НАЛЬЧИК |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | КВАРЦИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | ТОМСК |
|
|
|
 |
|
КТ315Д ЖЕЛТ. |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... |
|
|
||
|
|
|
КТ315Д ЖЕЛТ. |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | НАЛЬЧИК |
|
|
|
|
|
|
КТ315Д ЖЕЛТ. |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | 1900 |
|
|
