| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
5.47
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
80 576
|
1.33
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
114 091
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
75 974
|
1.28
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.50
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
984
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
23 643
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.39
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
85 100
|
1.06
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
96 000
|
1.21
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
34 734
|
1.22
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
84 941
|
3.35
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
66
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
8 796
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ZITEK
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1296
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
21000
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1231
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
5891
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
RUME
|
36 000
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
TRR
|
108 000
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BZX84-C15 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=15V, Izt=5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84-C15 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=15V, Izt=5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C15 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=15V, Izt=5mA
|
NXP
|
4 347
|
|
|
|
|
BZX84-C15 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=15V, Izt=5mA
|
PHILIPS
|
36 068
|
|
|
|
|
BZX84-C15 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=15V, Izt=5mA
|
KEEN SIDE
|
1 568
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
|
6 080
|
19.03
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YJ
|
53 720
|
26.30
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
---
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
HOTTECH
|
45
|
21.65
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
LGE
|
408
|
23.76
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
PANJIT
|
876
|
44.42
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
KLS
|
842
|
30.42
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
DIOTEC
|
1 479
|
82.90
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CT |
|
Диод Шоттки 200V 20A(2x10)
|
XXW
|
2 136
|
19.27
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
ST MICROELECTRONICS
|
152
|
175.64
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STW10NK60Z |
|
N-channel 650 v, 0.65 ?, 10 a, supermesh™ power mosfet zener-protected to-247
|
|
|
|
|
|
|
ZD-927 (12V) |
|
Паяльная станция в сверхкомпактном корпусе предназначена для ручного монтажа ...
|
|
|
|
|
|
|
ZD-927 (12V) |
|
Паяльная станция в сверхкомпактном корпусе предназначена для ручного монтажа ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ZD-927 (12V) |
|
Паяльная станция в сверхкомпактном корпусе предназначена для ручного монтажа ...
|
S-LINE
|
|
|
|