MBR20200CT


Диод Шоттки 200V 20A(2x10)

Купить MBR20200CT по цене 24.04 руб.  (без НДС 20%)
MBR20200CT
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MBR20200CT 12 900 24.04 
MBR20200CT (YJ) 77 407 24.80 
MBR20200CT (LGE) 480 23.76 
MBR20200CT (PANJIT) 876 44.60 
MBR20200CT (KLS) 3 372 26.23 
MBR20200CT (DIOTEC) 1 600 78.32 

Версия для печати

Технические характеристики MBR20200CT

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияSWITCHMODE™
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If900mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr1mA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBR20200CTP (Диоды и выпрямители)

SWITCHMODETM Power Dual Schottky Rectifier

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MBR20200CT datasheet
39.6Kb
4стр.

Синонимы от поставщиков: MBR20200CT ; MBR-20200CT ; MBR 20200CT ; MBR — 20200CT ; MBR20200CT ; диод MBR20200CT ;

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  2SK2915 Транзистор полевой N-MOS 600V, 16A, 150W     Заказ радиодеталей 247.28 
  2SK2915 Транзистор полевой N-MOS 600V, 16A, 150W   Toshiba Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SK3502 N-MOS 600V, 10A, 70W   FUJITSU Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SK3502 N-MOS 600V, 10A, 70W     Заказ радиодеталей 168.00 
  2SK3502 N-MOS 600V, 10A, 70W   FUJ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SK3502 N-MOS 600V, 10A, 70W   FUJI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BT139-800 Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))   NXP 800 79.38 
BT139-800 Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BT139-800 Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))     544 27.67 
BT139-800 Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))   NXP 49 цена радиодетали
BT139-800 Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CAT24C08WI-GT3     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CAT24C08WI-GT3     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CAT24C08WI-GT3     CATALYST SEMICONDUCTOR 3 цена радиодетали
    CAT24C08WI-GT3       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CAT24C08WI-GT3     ON SEMICONDUCTOR 145 цена радиодетали
    CAT24C08WI-GT3     4-7 НЕДЕЛЬ 675 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц     Заказ радиодеталей 2.44 
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   MOTOROLA 2 041 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ON SEMICONDUCTOR 1 733 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   OTHER 92 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход