STW10NK60Z

Версия для печати

Технические характеристики STW10NK60Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1370pF @ 25V
Power - Max	156W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW10NK60Z (MOSFET)

N-channel 650 V, 0.65 ?, 10 A, SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected TO-247

Производитель:
STMicroelectronics

STW10NK60Z datasheet
858.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5357BRLG		ON SEMICONDUCTOR
1N5357BRLG		ONS
1N5357BRLG
22UF/50V 6.37.7 85°
FSL106MR		Fairchild Semiconductor
FSL106MR		FSC1
FSL106MR			4	83.16
FSL106MR		FSC
FSL106MR		ONS
FSL106MR		1
FSL106MR		4-7 НЕДЕЛЬ	610
NCP1216D100R2G		ONS
NCP1216D100R2G		ON Semiconductor
NCP1216D100R2G
NCP1216D100R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1216D100R2G		ON SEMICONDUCTO
NCP1216D100R2G		4-7 НЕДЕЛЬ	272
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R			320.00
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	STMicroelectronics
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ФИЛИППИНЫ
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRO