Версия для печати
Технические характеристики MBR20200CT

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	SWITCHMODE™
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1mA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

MBR20200CTP (Диоды и выпрямители) SWITCHMODETM Power Dual Schottky Rectifier Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MBR20200CT datasheet 39.6Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

Синонимы от поставщиков: MBR20200CT ; MBR-20200CT ; MBR 20200CT ; MBR — 20200CT ; MBR20200CT ; диод MBR20200CT ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	DIODES
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	MOTOROLA
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	DC COMPONENTS
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	DIOTEC
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	DIODES INC.
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	MOTOROLA	135
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	Microsemi Commercial Components Group
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27	ON Semiconductor
		1N5353B		Стабилитрон 5Вт 16В SOD27		7	25.20
		2SK2915		Транзистор полевой N-MOS 600V, 16A, 150W			247.28
		2SK2915		Транзистор полевой N-MOS 600V, 16A, 150W	Toshiba
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJITSU
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W			168.00
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJ
		2SK3502		N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJI
		BT139-800		Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	800	86.67
		BT139-800		Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	PHILIPS
		BT139-800		Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))		120	26.13
		BT139-800		Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	49
		BT139-800		Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	ФИЛИППИНЫ
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,		650	73.60
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	КРЕМНИЙ	400	107.75
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	БРЯНСК	712	95.40
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	МИНСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	УЛЬЯНОВСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	RUS
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	ИНТЕГРАЛ
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	1956
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"