MBR20200CT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MBR20200CT	12 900	21.95
MBR20200CT (YJ)	77 408	25.83
MBR20200CT (LGE)	480	24.80
MBR20200CT (PANJIT)	1 009	47.26
MBR20200CT (KLS)	3 316	27.79
MBR20200CT (DIOTEC)	1 600	83.32

Версия для печати

Технические характеристики MBR20200CT

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	SWITCHMODE™
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1mA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBR20200CTP (Диоды и выпрямители)

SWITCHMODETM Power Dual Schottky Rectifier

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MBR20200CT datasheet
39.6Kb
4стр.

Синонимы от поставщиков: MBR20200CT ; MBR-20200CT ; MBR 20200CT ; MBR — 20200CT ; MBR20200CT ; диод MBR20200CT ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2915	Транзистор полевой N-MOS 600V, 16A, 150W			247.28
2SK2915	Транзистор полевой N-MOS 600V, 16A, 150W	Toshiba
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJITSU
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W			168.00
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJ
2SK3502	N-MOS 600V, 10A, 70W	FUJI
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	800	79.38
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	PHILIPS
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))		543	27.67
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	NXP	49
BT139-800	Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=16A(max), Vt=1.2V(typ))	ФИЛИППИНЫ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	39	653.40
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...			491.08
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INFINEON
W25X40BVSNIG		NUVOTON
W25X40BVSNIG		Winbond Electronics
W25X40BVSNIG		WINBOND	12
W25X40BVSNIG
W25X40BVSNIG		4-7 НЕДЕЛЬ	643