| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 30V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123 |
| Корпус | SOD-123 |
| Product Change Notification | Encapsulate Change 29/Aug/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
CD4017BE |
|
Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4017BE |
|
Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
800
|
53.88
|
|
|
|
|
CD4017BE |
|
Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C
|
|
|
50.00
|
|
|
|
|
CD4017BE |
|
Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C
|
TEXAS
|
747
|
57.78
|
|
|
|
|
CD4017BE |
|
Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4017BE |
|
Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
293
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
200 154
|
2.58
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 883
|
5.29
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
165
|
2.12
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
20 106
|
4.93
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 396
|
2.18
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.81
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.16
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
CEL
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
|
6 356
|
32.79
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
ПО "ДНЕПР"
|
1
|
41.33
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 101
|
38.64
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
14 180
|
46.64
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 640
|
84.72
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|
Версия для печати
