|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRL540NS 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL540NS, IRL540NSTRL, IRL540NSTRR
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
0805-10K 1% |
|
ЧИП - резистор 10 кОм, 1%, 0.125Вт |
|
1.08 >500 шт. 0.36 |
||
| 0805-X7R-4.7UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| 0805-X7R-4.7UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 50 В |
|
11.84 | ||||
| PR-1500 |
|
1 480.00 | ||||||
| PR-1500 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 419 |
|
|||||
|
|
|
КТ809А |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ... | 12 462 | 286.75 | ||
|
|
|
КТ809А |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ... | УЛЬЯНОВСК |
|
|
|
|
|
|
КТ809А |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ... | ФРЯЗИНО |
|
|
|
|
|
|
КТ809А |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ... | ИСКРА |
|
|
|
|
|
|
КТ809А |
|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ... | КРЕМНИЙ |
|
|
|
|
|
КТ865А | КРЕМНИЙ | 40 | 929.15 | ||||
|
|
КТ865А | 500 | 209.05 | |||||
|
|
КТ865А | БРЯНСК | 397 | 975.20 | ||||
|
|
КТ865А | 2 |
|
|
||||
|
|
КТ865А | 20 |
|
|
||||
|
|
КТ865А | 413 |
|
|
||||
|
|
КТ865А | 63 |
|
|