| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5446 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 18A, 200W, Tf<150nS)
|
TOSHIBA
|
8
|
480.19
|
|
|
|
2SC5446 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 18A, 200W, Tf<150nS)
|
|
1
|
524.16
|
|
|
|
2SC5446 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 18A, 200W, Tf<150nS)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SK2381 |
|
|
TOSHIBA
|
266
|
118.68
|
|
|
|
|
2SK2381 |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SK2381 |
|
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
1
|
55.50
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
759
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 6.2 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 6.2 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
STRG6651 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=66W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRG6651 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=66W
|
SK
|
|
|
|
|
|
STRG6651 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=66W
|
|
2
|
312.48
|
|
|
|
STRG6651 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=66W
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
STRG6651 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=66W
|
1
|
|
|
|
|
|
STRG6651 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=66W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
726
|
|
|