Версия для печати
Технические характеристики IRF9Z24N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF9Z24NS (P-канальные транзисторные модули) 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9Z24NS Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF9Z24N datasheet 170.11Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BYS10-25-E3/TR			VISHAY
		BYS10-25-E3/TR			Vishay/General Semiconductor
		BYS10-25-E3/TR			VISHAY	713
		BYS10-25-E3/TR
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	ITL/HAR
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	INTERSIL	8	98.28
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	ITL
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	HARRIS
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...		1	166.50
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	INTERSIL
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	RENESAS	322	113.47
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	1
		CA3140EZ		Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...	4-7 НЕДЕЛЬ	146
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	143.64
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	52.92
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W		4	129.78
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	МЕКСИКА
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INFINEON
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	1
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	8	28.40
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	196.56
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	4-7 НЕДЕЛЬ	191

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"