FDS4435
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
Структура транзистора: MOSFET |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1604pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS4435BZ Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FDS4410 | FAIR |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FSC |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 |
|
116.00 | ||||
|
|
|
FDS4410 | FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FSC1 |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | A&O |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | ONS |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 498 |
|
|||
 |
|
IRF7406 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7406 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 2 200 | 9.58 | ||
|
|
|
IRF7406 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER | 9 |
|
|
|
|
|
IRF7406 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF7406 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF7406 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | IR/VISHAY | 16 | 22.51 | |
|
|
|
IRF7406 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET | EVVO | 94 | 11.75 | |
 |
|
N25 ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 1.0A |
|
Предохранитель 1А | ROHM |
|
|
|
|
|
|
N25 ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 1.0A |
|
Предохранитель 1А |
|
18.00 | ||
| SN65LVDS2DBVTG4 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS2DBVTG4 | TEXAS |
|
|
|||||
| SN65LVDS2DBVTG4 |
|
148.00 | ||||||
| SN65LVDS2DBVTG4 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| SN65LVDS2DBVTG4 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 505 |
|
|||||
 |
|
SP8M3FU6TB |
|
ROHM |
|
|
||
|
|
|
SP8M3FU6TB |
|
7 | 196.56 | |||
|
|
|
SP8M3FU6TB |
|
Rohm Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
SP8M3FU6TB |
|
1 |
|
|
