MJD50T4G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Power - Max | 1.56W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL31B104KBCNNNC | SAM |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC | SAMSUNG | 52 771 | 1.93 | |||||
| CL31B104KBCNNNC |
|
|
||||||
 |
 |
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A |
|
|
||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 56 | 9.41 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 13 237 | 9.47 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI |
|
|
|||||
| MIC5205-5.0YM5 TR | MICREL |
|
|
|||||
| MIC5205-5.0YM5 TR | Micrel Inc |
|
|
|||||
| MIC5205-5.0YM5 TR | MCH/MCRL |
|
|
|||||
| OB2273MP | ON-BRIGHT | 4 | 21.71 | |||||
| OB2273MP | 1 | 75.60 | ||||||
| OB2273MP | 1 |
|
|
|||||
| OB2273MP | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
