MJD50T4G


Купить MJD50T4G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJD50T4G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MJD50T4G (ON SEMICONDUCTOR.) 157 3-4 недели
Цена по запросу
MJD50T4G (ONS) 702 45.57 
MJD50T4G (ON Semiconductor) 1 996 42.40 

Версия для печати

Технические характеристики MJD50T4G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Power - Max1.56W
Frequency - Transition10MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусDPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )     1 788 2.39 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP 16 000 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS 28 085 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   WUXI XUYANG 9 644 1.34 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SEMTECH 78 1.76 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   HOTTECH 58 1.74 
>100 шт.   0.87 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PLINGSEMIC 34 320 1.54 
>100 шт.   0.77 
BF821     PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF821       Заказ радиодеталей 8.52 
BF821     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF821     NXP 10 435 цена радиодетали
BF821     PHILIPS 12 464 цена радиодетали
BF821     PHILIPS SEMIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IRF5210PBF Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IRF5210PBF Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)     2 756 85.33 
  IRF5210PBF Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)   INFINEON 172 98.15 
  IRF5210PBF Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)   INTERNATIONAL RECTIFIER 14 цена радиодетали
IRLML5203TR PBF P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML5203TR PBF P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  NE-2 4X10       390 2.18 
  NE-2 4X10       390 2.18 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход