MJD50T4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MJD50T4G (ON SEMICONDUCTOR.)	157	3-4 недели Цена по запросу
MJD50T4G (ONS)	676	64.34
MJD50T4G (ON Semiconductor)	1 996	35.80

Версия для печати

Технические характеристики MJD50T4G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 300mA, 10V
Power - Max	1.56W
Frequency - Transition	10MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AOZ1031AI		Alpha & Omega Semiconductor Inc
AOZ1031AI
AOZ1031AI		A&O
AOZ1031AI
AOZ1031AI		4-7 НЕДЕЛЬ	480
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	VISHAY
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	Vishay/Siliconix
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
MBRS3200T3G		ON SEMICONDUCTOR
MBRS3200T3G		VISHAY
MBRS3200T3G		ONS
MBRS3200T3G			4	116.00
MBRS3200T3G		ON SEMICONDUCTOR	1 760
MBRS3200T3G		TOKMAS	248	8.54
MBRS3200T3G		FUXIN	6 424	8.13
MBRS3200T3G		ONSEMI
OB2273MP		ON-BRIGHT	4	20.51
OB2273MP			2	75.60
OB2273MP		1
OB2273MP		4-7 НЕДЕЛЬ	92
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS
SM6T36A
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS SEMI	758
SM6T36A		STMicroelectronics
SM6T36A		КИТАЙ
SM6T36A
SM6T36A		HOTTECH
SM6T36A		1