Версия для печати

Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный КТ829Б datasheet 75,63kB 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS	400	28.35
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ON SEMICONDUCTOR
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	70.30
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	STMicroelectronics
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ЭЛЬТАВ
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	70.30
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	FSC1
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRO
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FAI/QTC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	40	15.68
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W			28.56
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДОНЕЗИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	HOTTECH	6 228	17.60
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	LGE	3 872	16.01
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	KLS	488	9.60
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMICROELECTR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ZH	34 800	10.28
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ST MICROELECTRONICS
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD			63.24
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	STMicroelectronics

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 820	8.40
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	ЗПП
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...		124	27.75
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	ЗПП МИНСК
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	МИНСК
		КР1533ЛА21		4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...	ИНТЕГРАЛ	80	56.70
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 161	27.75
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	28.35
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 729	37.80
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		5 452	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	32	59.29
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	21 358	48.30
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 600	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 539	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	15 764	46.20
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	1 520	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"