| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRONICS
|
820
|
12.12
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
|
|
53.16
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
LGE
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
947
|
16.65
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
154
|
36.46
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
476
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
19.07
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
|
21
|
226.80
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BDW94C |
|
Транзистор биполярный SMD PNP Darl, 100V, 12A, 80W (Comp. BDW93C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
PHILIPS
|
800
|
22.64
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
|
|
18.56
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
WEEN
|
|
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
MAC97A6 |
|
TRIAC 400V, 0.6A, Igt=5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
|
STK442-110 |
|
УНЧ 2x110W (2x54V/6 Ом)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
STK442-110 |
|
УНЧ 2x110W (2x54V/6 Ом)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
STK442-110 |
|
УНЧ 2x110W (2x54V/6 Ом)
|
|
|
573.64
|
|
|
|
|
STK442-110 |
|
УНЧ 2x110W (2x54V/6 Ом)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
STK442-110 |
|
УНЧ 2x110W (2x54V/6 Ом)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
STK442-110 |
|
УНЧ 2x110W (2x54V/6 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
796
|
|
|
|
|
|
WS78L05ACM |
|
|
WS
|
|
|
|
|
|
|
WS78L05ACM |
|
|
WING SHING COMPUTER COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
WS78L05ACM |
|
|
|
|
30.40
|
|
|
|
|
WS78L05ACM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
687
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
8 058
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
20 385
|
48.76
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 840
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|