BD679


Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)

Купить BD679 по цене 28.35 руб.  (без НДС 20%)
BD679
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BD679 (ST MICROELECTRONICS) 584 28.35 
BD679 43 70.30 
BD679 43 70.30 

Версия для печати

Технические характеристики BD679

Current - Collector (Ic) (Max)4A
Transistor TypeNPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Power - Max40W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-126-3
КорпусSOT-32-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный     1 349 16.65 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   КРЕМНИЙ 280 90.02 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   БРЯНСК 258 36.12 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ФРЯЗИНО 561 16.80 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ЭЛЕКТРОНПРИБОР 400 49.14 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   КРЕМН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ЭДЬТАВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   ЭЛЬТАВ 300 16.80 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   УЛЬЯНОВСК 120 16.80 
КТ829Б Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный   КРЕМНИЙ ЭЛ 109 19.60 

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRFU024 Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFU024 Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFU024 Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W     Заказ радиодеталей 64.64 
IRFU024 Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFU024 Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   МАЛАЙЗИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFU024 Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W   VISHAY/IR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UC3842-8       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz   ONS 1 409 62.29 
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz   ON SEMICONDUCTOR 104 цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UC3843BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz   4-7 НЕДЕЛЬ 201 цена радиодетали
  UC3844TN     ST MICROELECTRONICS 26 49.14 
  UC3844TN       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4     DEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4     DEGSON ELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход