Версия для печати
Технические характеристики BD679

Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Корпус	SOT-32-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный		739	16.65
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ	80	65.59
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	БРЯНСК	154	36.46
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ФРЯЗИНО	476	16.96
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	RUS
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	400	53.09
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМН
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭДЬТАВ
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЬТАВ	300	16.96
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	УЛЬЯНОВСК	112	16.96
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	97	19.07
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	14
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	151
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	179
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	260
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	342
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	376

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-03P-1-4		Блок зажимов на кабель шаг 3,5 мм, контактов 3, рядов 1, 250В, 7А	DEN
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-03P-1-4		Блок зажимов на кабель шаг 3,5 мм, контактов 3, рядов 1, 250В, 7А	DEGSON ELECTRONICS
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-03P-1-4		Блок зажимов на кабель шаг 3,5 мм, контактов 3, рядов 1, 250В, 7А	КИТАЙ
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-04P-1-4		Блок зажимов на кабель шаг 3.5 мм, контактов 4, рядов 1, 250В, 7А	DEN
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-04P-1-4		Блок зажимов на кабель шаг 3.5 мм, контактов 4, рядов 1, 250В, 7А	DEGSON ELECTRONICS
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-04P-1-4		Блок зажимов на кабель шаг 3.5 мм, контактов 4, рядов 1, 250В, 7А	КИТАЙ
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ONS
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	104
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	201
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-09P-1-4			DEN
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-09P-1-4			DEGSON ELECTRONICS
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-09P-1-4			КИТАЙ
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4			DEN
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4			DEGSON ELECTRONICS
		ЗАЖ.15EDGK-3,5-10P-1-4			КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"