| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SA564A |
|
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
NEC
|
28
|
7.50
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
|
|
5.00
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
2SA733 |
|
Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BC212B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
22
|
10.08
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BC307B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
1
|
|
|
|
|
|
BC307C |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
400
|
7.03
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
36 125
|
1.83
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
|
7 845
|
1.07
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
5 504
|
11.99
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
HOTTECH
|
144
|
1.26
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
64
|
1.83
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
CHINA
|
18 400
|
1.21
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ZH
|
256
|
4.13
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SUNTAN
|
370
|
1.47
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
LGE
|
441
|
1.95
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BC557B |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ELZET
|
72 800
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
|
30 622
|
1.23
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SUNTAN
|
38 121
|
1.80
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
LGE
|
25 090
|
1.90
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KEEN SIDE
|
568
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC557C |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
RUME
|
51 200
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
BC560B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
BC560B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
|
9.56
|
|
|
|
|
BC560B |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
|
|
7.16
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
OTHER
|
1
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC560C |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.1A, 0.625W, 250MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
ПЛАНЕТА
|
266
|
16.40
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
SS9015B |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
|
240
|
11.78
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
10.93
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
13 176
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
БРЯНСК
|
160
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
РИГА
|
2 035
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
16471
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
200
|
|
|
|
|
|
КТ3107Ж |
|
Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...
|
2544
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.93
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
|
847
|
15.12
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
БРЯНСК
|
2 659
|
8.48
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
МИНСК
|
966
|
8.48
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
1243
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
3399
|
|
|
|
|
|
КТ3107К |
|
Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...
|
5
|
|
|
|
|
|
КТ6112Б |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ6112Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ6112В |
|
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
КТ6112В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
73 416
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
28 080
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
200 516
|
1.59
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 543
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
10 356
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
6 800
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
138 148
|
3.70
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
98 361
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
67 544
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
635 006
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
17 439
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
21 425
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
681 520
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
CTK
|
5 465
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KEEN SIDE
|
120 200
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SENOCN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН
|
19
|
3.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
5679
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
80658
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
80458
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ELZET
|
184 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 331
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 160
|
9.20
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
5 520
|
54 526.40
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
18 352
|
54 526.40
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 136
|
8.74
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
16883
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7000
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7364
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
2671
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
|
993
|
10.12
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
224
|
24.80
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
2 721
|
54 460.68
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
28
|
10.36
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
3600
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
526
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
8 719
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
18 748
|
50.88
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 240
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 103
|
38.64
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
14 180
|
46.64
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 640
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|