Версия для печати
Технические характеристики BD679A

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD679A Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD679A datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный		1 260	16.65
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ	80	60.48
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	БРЯНСК	258	36.12
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ФРЯЗИНО	561	16.80
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	RUS
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	400	49.14
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМН
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭДЬТАВ
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЬТАВ	300	16.80
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	УЛЬЯНОВСК	120	16.80
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	109	19.60

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	49 763	1.36
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	454 753	1.47
		1N4007			DIOTEC	77 452	3.04
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	201 019	1.27
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	4.54
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				184 205	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	22 451	1.03
		1N4007			HOTTECH	137 512	1.23
		1N4007			KLS	52 000	2.07
		1N4007			YS	2 330	1.36
		1N4007			YANGJIE	800	1.63
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 461	1.09
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	64 446	1.95
		1N4007			TWGMC	25 320	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	93	2.12
		1N4007			ASEMI	1 218	1.13
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	ST MICROELECTRONICS
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	SGS
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)		4	64.26
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	SGS THOMSON
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	STMicroelectronics
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	ST1
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	ST MICROELECTRO
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	STMICROELECTR
		BD912		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)	1
		DM3-03P-1 125V. 2A
		MO-50 (С2-23) 0.5 ВТ, 1 КОМ, 5%			ТАЙВАНЬ
		MO-50 (С2-23) 0.5 ВТ, 1 КОМ, 5%
		КТ898А1		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ...			201.60
		КТ898А1		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ...	КРЕМНИЙ	8	196.56
		КТ898А1		Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ...	БРЯНСК	157	285.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"