|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRONICS
|
592
|
28.35
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
|
43
|
70.30
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
|
43
|
70.30
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
732
|
40.95
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
|
|
28.56
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
HOTTECH
|
5 689
|
17.92
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
LGE
|
4 020
|
16.30
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
KLS
|
530
|
22.84
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ZH
|
34 800
|
12.17
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
63.24
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 362
|
11.74
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
612
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
|
432
|
7.36
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
60.48
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
9 807
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
32
|
59.29
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
24 684
|
48.30
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 760
|
113.65
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2
|
37.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 621
|
37.80
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 286
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
15 188
|
46.20
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 160
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
114
|
60.91
|
|