|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
КТ503В |
874 |
11.34
|
|
|
КТ503В (КРЕМНИЙ) |
532 |
13.61
|
|
|
КТ503В (АЛЕКСАНДРОВ) |
3 411 |
4.20
|
|
|
КТ503В (БРЯНСК) |
4 942 |
6.30
|
|
|
КТ503В (МИНСК) |
766 |
8.40
|
|
|
КТ503В (196) |
4 |
202 420.41
|
|
|
КТ503В (6178) |
2 |
201 613.95
|
|
|
КТ503В (762) |
4 |
202 218.80
|
|
|
КТ503В (4264) |
1 |
201 513.16
|
|
Транзисторы КТ503В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 5.00
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.35
Корпус KT-26
|
Версия для печати
