IRLB3813
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 60A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 86nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8420pF @ 15V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CERCAP 4.7/10V 0805 KX5R |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 10 В | YAGEO |
|
|
|||
| CERCAP 4.7/16V 0805 ZY5V |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 16 В | YAGEO |
|
|
|||
| ELP25В-22000МКФ30X40 | HITANO |
|
|
|||||
| ELP63В-4700МКФ30X35 | HITANO |
|
|
|||||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONS | 8 000 | 7.47 | |||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 480 | 11.25 | ||||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 0.00 |
|
|
|||
| LM358DR2G |
|
2xOp-Amp 32V 0.+70°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 216 |
|
