![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В |
![]() |
33.60 | ||||
100МКФ 50В (8Х11) 105С TK,JAMC |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50В |
![]() |
16.80 | ||||
UC3843BD1R2G |
![]() |
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||
UC3843BD1R2G |
![]() |
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | ONS | 1 415 | 62.29 | |||
UC3843BD1R2G |
![]() |
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | ON SEMICONDUCTOR | 104 |
![]() |
|||
UC3843BD1R2G |
![]() |
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz |
![]() |
![]() |
||||
UC3843BD1R2G |
![]() |
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 221 |
![]() |
|||
ПОЛИРОВОЧНАЯ ПАСТА ГОИ, 30 Г. |
![]() |
52.00 | ||||||
![]() |
ТЕПЛОПРОВОДНАЯ ПАСТА КПТ-8, ШПРИЦ 20 Г. |
![]() |
Паста теплопроводная КПТ-8, 20гр., шприц, -60...+180С |
![]() |
92.00 |
|
Корзина
|