IRF3808

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3808 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	266	173.88
IRF3808	3	254.52

Версия для печати

Технические характеристики IRF3808

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 82A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	106A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5310pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3808L (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF3808S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF3808 datasheet
162.73Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
1МКФ 50В (5X11) 105°C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 50В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
1МКФ 50В (5X11) 105°C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 50В		4.80
2200МКФ 35В (16X32, АКС)	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
2200МКФ 35В (16X32, АКС)	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В		92.00
IRLB3813		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLB3813			129.32
IRLB3813		INFINEON
MAC-1 Д/С 160Х100 ММ МАКЕТНАЯ ПЛАТА			820.00
ЖЕЛЕЗО ХЛОРНОЕ 250 ГР