IRF3808

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3808 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	266	173.88
IRF3808	3	254.52

Версия для печати

Технические характеристики IRF3808

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 82A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	106A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5310pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3808L (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF3808S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF3808 datasheet
162.73Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В			33.60
UC3843BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR
UC3843BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ONS
UC3843BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	104
UC3843BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz
UC3843BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	201
VS-43CTQ100		VISHAY
VS-43CTQ100			1	376.74
ПОЛИРОВОЧНАЯ ПАСТА ГОИ, 30 Г.				52.00
ТЕПЛОПРОВОДНАЯ ПАСТА КПТ-8, ШПРИЦ 20 Г.	Паста теплопроводная КПТ-8, 20гр., шприц, -60...+180С			92.00