|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A | ST MICROELECTRONICS | 14 866 | 1.51 | ||
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A |
|
|
|||
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A | DIOTEC | 8 421 | 1.56 | ||
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A |
|
|
|||
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A | YT |
|
|
||
|
|
DB4 |
|
Динистор 40V 2A | 1 |
|
|
||
| GRM31C5C1E104J |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM31C5C1E104J |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В |
|
17.40 | ||||
| GRM31C5C1E104J |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В | ЯПОНИЯ |
|
|
|||
|
|
TZMC2V7 |
|
Стабилитрон универсальный 0,5W 2,7V Minimelf (SOD-80) |
|
2.16 | |||
|
|
TZMC2V7 |
|
Стабилитрон универсальный 0,5W 2,7V Minimelf (SOD-80) | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
TZMC2V7 |
|
Стабилитрон универсальный 0,5W 2,7V Minimelf (SOD-80) | VISHAY | 18 | 3.75 | ||
| ЭПСН 220В 18ВТ С КЕРАМИЧЕСКИМ НАГРЕВАТЕЛЕМ |
|
676.00 | ||||||
| ЭПСН 220В 40ВТ С КЕРАМИЧЕСКИМ НАГРЕВАТЕЛЕМ |
|
920.00 |