|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц | ATMEL |
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц | 694 | 227.62 | ||
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц | MICRO CHIP | 574 | 309.96 | |
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц | 4-7 НЕДЕЛЬ | 745 |
|
|
|
|
CT-019 220В 30ВТ С ОТСОСОМ |
|
Паяльник, оснащенный вспомогательным устройством - вакуумным отсосом. Макс. мощность ... |
|
1 920.00 | |||
|
|
|
IRF2805 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В, 175А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF2805 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В, 175А | 1 | 367.92 | ||
|
|
|
IRF2805 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В, 175А | INFINEON |
|
|
|
|
|
TZMC3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=3.3V, Izt-5mA |
|
5.60 | |||
| ЭПСН 36В 60ВТ С КЕРАМИЧЕСКИМ НАГРЕВАТЕЛЕМ |
|
1 256.00 |