Версия для печати
Технические характеристики LM358DR2G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	0.6 V/µs
Полоса пропускания	1MHz
Ток - входного смещения	45nA
Напряжение входного смещения	2000µV
Ток выходной	1.5mA
Ток выходной / канал	40mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DG142R-5.08-03P (FB142R)			DEGSON ELECTRONICS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM	37 256	113.65
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM/DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,			364.00
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	Maxim Integrated Products
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	КИТАЙ
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGR
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX/DALL
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGRATED	3 120	91.93
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	1
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	ANALOG DEVICES
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	4-7 НЕДЕЛЬ	294
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	1585
		IRF3808		Транзистор полевой N-канальный 75В 140А	INTERNATIONAL RECTIFIER	266	191.30
		IRF3808		Транзистор полевой N-канальный 75В 140А			198.96
		IRF3808		Транзистор полевой N-канальный 75В 140А	МЕКСИКА
		IRF3808		Транзистор полевой N-канальный 75В 140А	INFINEON
		IRF3808		Транзистор полевой N-канальный 75В 140А	1
		PIC16F676-I/SL		1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz	MICRO CHIP	1 084	123.98
		PIC16F676-I/SL		1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz			176.76
		PIC16F676-I/SL		1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz	MICRO CHIP	5 455
		PIC16F676-I/SL		1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz	Microchip Technology
		PIC16F676-I/SL		1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz	ТАИЛАНД
		PIC16F676-I/SL		1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	792
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		427	9.20
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 992	14.32
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 560	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"