| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206
|
YAGEO
|
91 793
|
1.03
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206
|
|
|
2.04
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB103 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.01мкф,X7R,10%, 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
GR-250-2.2 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 250 В
|
TREC
|
|
|
|
|
|
|
GR-250-2.2 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 250 В
|
|
|
6.76
|
|
|
|
|
GR-250-2.2 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 250 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
|
13 460
|
7.85
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
304
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INFINEON
|
28 242
|
11.37
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
8 024
|
42.36
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
|
412
|
44.40
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
UMW
|
1 120
|
12.40
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
YOUTAI
|
8 662
|
11.00
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
103
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
530
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
757
|
15.12
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
429
|
4.24
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
416
|
10.60
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
404
|
14.05
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
88
|
12.40
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
672
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
94
|
|
|
|