IRF3808

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3808 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	266	173.88
IRF3808	3	254.52

Версия для печати

Технические характеристики IRF3808

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 82A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	106A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5310pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3808L (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF3808S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF3808 datasheet
162.73Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
17900BK		Luxo
47МКФ 450В (16Х30) 105°С	Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 450В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
47МКФ 450В (16Х30) 105°С	Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 450В			240.00
CERCAP 4.7/16V 0805 ZY5V	Керамический конденсатор 4.7 мкФ 16 В	YAGEO
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONS	12 362	13.04
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C		4 072	11.06
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	ONSEMICONDUCTOR
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	0.00
LM358DR2G	2xOp-Amp 32V 0.+70°C	4-7 НЕДЕЛЬ	216
V23148-A0007-A101		TE Connectivity