|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 1000МКФ 35В (13X21) 105°C TK, JAMC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35В |
|
33.60 | ||||
| 100МКФ 50В (8Х11) 105С TK,JAMC |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 50В |
|
16.80 | ||||
| UC3843BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| UC3843BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | ONS |
|
|
|||
| UC3843BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | ON SEMICONDUCTOR | 104 |
|
|||
| UC3843BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz |
|
|
||||
| UC3843BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 201 |
|
|||
| ПОЛИРОВОЧНАЯ ПАСТА ГОИ, 30 Г. |
|
52.00 | ||||||
|
|
ТЕПЛОПРОВОДНАЯ ПАСТА КПТ-8, ШПРИЦ 20 Г. |
|
Паста теплопроводная КПТ-8, 20гр., шприц, -60...+180С |
|
92.00 |