Версия для печати
Технические характеристики SH100M3R30B2F-0511

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	100 В
Емкость	3.3 мкФ
Ток утечки	6 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.1
Максимальный ток пульсаций	0.029 А
Шаг выводов	2 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 5x11
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Серия	SH
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	FAIR
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	NXP
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	PHILIPS
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ROHM
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800		8	21.42
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	DIOTEC	2 099	1.29
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ON SEMICONDUCTOR
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	FAIRCHILD
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ONS
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	FAIRCHILD
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	PHILIPS	15 324
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ROHM
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	PHILIPS SEMIC
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	ГЕРМАНИЯ
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	NXP	1 323
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	SEMTECH	1	1.76
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	NEX-NXP
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	1
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	KOME	782	1.79
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	SUNTAN	12 516	1.20  >100 шт.   0.60
		BC850C		Транзистор NPN 45V 0,1A 0,25W B:420-800	KEEN SIDE	12 917	1.41  >500 шт.   0.47
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS	963	19.23
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	UTC
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...		1 321	21.33
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	3 941
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	STMicroelectronics
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	64
		LD1117AS33TR		Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...	180	1	15.74
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD		103	15.12
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONS	91 500	1.66
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR	5 858
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONSEMICONDUCTOR
		SH035M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В	YAGEO
		SH035M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH035M0010B2F-0511		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	16	18.76
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74LVC1G3157DBVR				10 864	4.73
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMEN
		SN74LVC1G3157DBVR			YOUTAI	23 155	2.57
		SN74LVC1G3157DBVR			UMW-YOUTAI
		SN74LVC1G3157DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	169
		SN74LVC1G3157DBVR			30	1	14.13

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"