| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
41 559
|
1.50
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 299
|
1.84
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
109 157
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
6 310
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.66
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
61 602
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
2.88
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
243 999
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
316
|
1.27
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
35 380
|
1.31
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
12 697
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
2 188
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
37 092
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
190 288
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
|
1
|
24.05
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
49
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
388
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
|
|
16.40
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
США
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YJ
|
130 854
|
1.37
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
SHIKUES
|
27 611
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
HOTTECH
|
27 120
|
1.73
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
JSCJ
|
11 374
|
1.65
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
CJE
|
128
|
4.36
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
SUNTAN
|
12 908
|
2.66
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
KEEN SIDE
|
14 864
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
|
|
56.56
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
574
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
|
1
|
75.60
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
559
|
|
|