Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
44 046
|
1.54
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 299
|
1.94
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
110 277
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
9 175
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.70
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
46 447
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
2.99
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
285 735
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
281
|
1.30
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
37 780
|
1.37
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.03
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
35 059
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
|
1
|
24.05
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
49
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
388
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
|
|
56.56
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST1
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
574
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
|
1
|
75.60
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
559
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 958
|
52.50
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ОРБИТА
|
8
|
58.59
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
|
15 836
|
17.60
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
TSL
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
САРАНСК
|
381
|
42.00
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
MEV
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
360
|
|
|