MMBT2907ALT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MMBT2907ALT1G	100	15.12
MMBT2907ALT1G (ONS)	69 442	3.25
MMBT2907ALT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	5 858	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT2907ALT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBT2907ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transisters PNP Silicon

Также в этом файле: MMBT2907ALT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBT2907ALT1G datasheet
121.53Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W			103.20
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
AUB-13
AUB-13		BM	240	34.05
AUB-13		CHIFUNG
AUB-13		SUNTAN	3 004	14.42
BF960		NXP
BF960
CC1206ZKY5V8BB106	Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В	YAGEO	1 528	2.77
CC1206ZKY5V8BB106	Керамический конденсатор 10 мкФ 25 В
TS912IN				102.00
TS912IN		ST MICROELECTRONICS
TS912IN		STMicroelectronics
TS912IN		ST MICROELECTRONICS SEMI
TS912IN		4-7 НЕДЕЛЬ	544