Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
|
24 257
|
1.71
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 709
|
15.46
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
DC COMPONENTS
|
10 822
|
3.57
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
246
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
172
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
35
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAGOR
|
16
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
КИТАЙ
|
26
|
9.45
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MASTER INSTRUMENT
|
400
|
9.45
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIG
|
3 608
|
3.15
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LGE
|
2 960
|
2.07
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIC
|
6 454
|
3.69
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
YANGJIE
|
4 000
|
2.05
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
HOTTECH
|
6 115
|
2.18
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
TRR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
1
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
20 313
|
1.97
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
8
|
2.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 404
|
1.79
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
110 357
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
646
|
1.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
204 822
|
1.45
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.60
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
166 683
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
1.43
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
215 794
|
1.15
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
277
|
1.22
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
38 436
|
1.38
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
39 744
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
|
1
|
24.05
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
49
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4069UBM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
388
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
|
|
56.56
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
ST1
|
|
|
|
|
|
MC33078N |
|
2xOP-Amp +-18V LN
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
574
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
|
|
108.04
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
559
|
|
|