Версия для печати
Технические характеристики MMBT2907ALT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

MMBT2907ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы) General Purpose Transisters PNP Silicon Также в этом файле: MMBT2907ALT1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MMBT2907ALT1G datasheet 121.53Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AMS1117-ADJ SOT-223
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	SMK
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	КИТАЙ
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LINEAR TECHNOLOGY
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LITE-ON
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LIT
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA			26.28
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	КИТАЙ
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	4-7 НЕДЕЛЬ	348
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	67	10.81
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74LVC1G3157DBVR				10 664	4.73
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS
		SN74LVC1G3157DBVR			TEXAS INSTRUMEN
		SN74LVC1G3157DBVR			YOUTAI	46 015	5.23
		SN74LVC1G3157DBVR			UMW-YOUTAI
		SN74LVC1G3157DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	169
		SN74LVC1G3157DBVR			30
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		681	27.60
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 586	38.16
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК	237	25.44
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	1988

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"